臺(tái)式原子層沉積系統(tǒng)

簡要描述：產(chǎn)品特點(diǎn)
美國ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng)，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可zui 多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。GEMStar XT全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03% 以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在8英寸基體上實(shí)現(xiàn)膜厚的不均勻性

產(chǎn)品型號：GEMStar XT
廠商性質(zhì)：代理商
更新時(shí)間：2025-07-01
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原子層沉積系統(tǒng)

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美國ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng)，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。GEMStar XT全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03% 以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在8英寸基體上實(shí)現(xiàn)膜厚的不均勻性優(yōu)于99%，而且更適合對超高長徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋，可實(shí)現(xiàn)對高達(dá)1500: 1長徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積。

GEMStar XT 產(chǎn)品特點(diǎn)： * 300℃ 鋁合金熱壁，對流式溫度控制 * 175℃溫控150ml前驅(qū)體瓶，200℃溫控輸運(yùn)支管 * 可容納多片4，6，8英寸樣品同時(shí)沉積 * 可容納1.25英寸/32mm厚度的基體 * 標(biāo)準(zhǔn)CF-40接口 * 可安裝原位測量或粉末沉積模塊等選件 * 等離子體輔助ALD插件 * 多種配件可供選擇	GEMStar XT 產(chǎn)品型號： GEMStar XT： * 大8英寸/200 mm基片沉積（4'和6' 可選） * 單/雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 4/8路前驅(qū)體瓶接口 * 不可升級為等離子體增強(qiáng)ALD GEMStar XT-R： * 大8英寸(200mm)基片沉積（4'和6' 可選） * 單/雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 4/8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口 * 可升級為等離子體增強(qiáng)ALD
	GEMStar XT-P： * 大8英寸/200mm基片沉積（4'和6 '可選） * 單/雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 4/8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口 * 裝備高性能ICP等離子發(fā)生器 13.56 MHz 的等離子源非常緊湊，只需風(fēng)冷，高運(yùn)行功率達(dá)300W。 * 標(biāo)配3組氣流質(zhì)量控制計(jì)（MFC）控制的等離子氣源線，和一條MFC控制的運(yùn)載氣體線，使難以沉積的氧化物、氮化物、金屬也可以實(shí)現(xiàn)均勻沉積。

新產(chǎn)品發(fā)布：	GEMStar NanoCUBE： * 大100 mm 立方體樣品沉積 * 單路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 2路前驅(qū)體瓶接口 * 主要用于3D多孔材料，以及厚樣品的沉積

豐富配件：
多樣品托盤： * 多樣品夾具，樣品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。 * 多基片夾具，多同時(shí)容納9片基片。		溫控?zé)?/span>托盤： * 可加熱樣品托盤，高溫度500℃，可實(shí)現(xiàn)熱盤-熱壁復(fù)合加熱方式。
粉末沉積盤：		臭氧發(fā)生器：
真空進(jìn)樣器（Load Lock）		晶振測厚儀
前驅(qū)體瓶：		前驅(qū)體加熱套
粉末旋轉(zhuǎn)沉積罐模塊：配合熱壁加熱方式，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)對微納粉末樣品全保型薄膜均勻沉積包覆。
手套箱接口：可從側(cè)面或背面wan美接入手套箱，與從底部接入手套箱不同，不占用手套箱空間。由于主機(jī)在手套箱側(cè)面，反應(yīng)過程中不對手套箱有加熱效應(yīng)，不影響手套箱內(nèi)溫度。