快速退火爐

簡要描述：美國RTP系列的快速退火爐溫度均勻度≤1%，處理的大尺寸可以達到200mm，溫度可以達到1200攝氏度，處理過程可以在真空環(huán)境或者惰性氣體的環(huán)境中執(zhí)行，做多可支持4~6路進氣，可以用到的氣體包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。

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詳細介紹

基于PID處理控制器的Solaris GUI可以存儲程序，每套程序可以支持高達100個步驟的設定，帶USB2.0的接口。包含Solaris GUI 軟件，與微軟Windows操作系統(tǒng)兼容。通過該軟件，通過鏈接電腦可以非常方便地實現程序編輯以及數據記錄。

技術規(guī)格：

- 溫度：1200攝氏度；

- 升溫速率：150攝氏度/秒；

- 溫控均勻性：±2.5℃設定溫度；

- 加熱方式：紅外鹵素燈，頂部及底部區(qū)域加熱；

- 處理時間：0.1秒至無*；

- 燈管數量及功率：13支，

- 腔體冷卻：風冷方式；

- 襯底冷卻：氮氣吹掃；

- 工藝氣路：MFC控制，多6路 (氮氣、氬氣、氧氣、氫氮混合氣等)；

應用領域：

快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);

快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);

快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);

硅化 (Silicidation);

擴散 (Diffusion);

化合物半導體退火 (Compound Semiconductor Annealing);

離子注入后退火 (Implant Annealing);

電極合金化 (Contact Alloying);

晶向化和堅化 (Crystallization and Densification);

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