KemLab負(fù)性光刻膠 PKP-308PI 

PKP-308PI 光刻膠是 PKP II 和 KTFR 光刻膠的替代品。這種高純度光刻膠具有改進(jìn)的分辨率、附著力、耐蝕刻性、低針孔密度，是負(fù)性光刻膠中綜合性能最佳的選擇。在使用過程中無需對光刻膠進(jìn)行膜過濾?？蓪?shí)現(xiàn)微米級別的分辨率，且在生產(chǎn)中光刻膠工藝能保持高度可重復(fù)性。PKP-308PI 光刻膠的生產(chǎn)條件確保了高質(zhì)量，并符合先進(jìn)集成電路技術(shù)所必需的關(guān)鍵和嚴(yán)格要求。

PKP-308PI 產(chǎn)品通過基于受控等溫條件下的離心技術(shù)的特殊工藝進(jìn)行純化。該純化工藝生產(chǎn)出具有優(yōu)異質(zhì)量的光刻膠材料。聚合物成分（順式聚異戊二烯）在分子量和尺寸分布上表現(xiàn)出均一性。實(shí)際上，離心技術(shù)是一個(gè)分級分離過程，去除了高分子量的聚合物。因此，由純化產(chǎn)品獲得的光刻膠膜顯示出極低的針孔密度。

PKP-308PI 特性參數(shù)

環(huán)境：
有幾點(diǎn)注意事項(xiàng)值得關(guān)注：

• 灰塵和棉絨會(huì)導(dǎo)致針孔。使用潔凈液體可以將其最小化。

• 相對濕度必須控制在 30% – 50% 之間。

• 必須使用金熒光燈、黃色白熾燈或帶有黃色或橙色濾光片的白色熒光燈進(jìn)行適當(dāng)照明。

• 由于溶劑煙霧，需要充分的通風(fēng)。

儲存：
PKP-308PI 材料是為您的訂單專門純化的。為保持無聚集物狀態(tài)，必須采取預(yù)防措施：

• PKP-308PI 材料應(yīng)避光儲存。

• 在使用前，請勿將其從運(yùn)輸瓶中取出。

加工流程：

1. 基板準(zhǔn)備 (Substrate Preparation): 清潔并在 120-130°C 下預(yù)烘烤 20-30 分鐘。

2. 光刻膠涂布 (Photoresist Application): 電機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)甩膠。

3. 前烘 (軟烘) (Prebake (soft bake)):

• 熱板：90°C 下烘烤 90 秒。

• 烘箱：90°C 下烘烤 30 分鐘。

4. 光刻膠曝光 (Photoresist Exposure): 1-10 秒（最小光源），或 15-25 mJ/cm2。

5. 光刻膠顯影 (Photoresist Develop): 使用 PKP 顯影液進(jìn)行 10-60 秒噴涂或 120 秒浸泡顯影，隨后用 PKP 漂洗液漂洗（浸泡 60-90 秒或噴涂 15 秒），然后用壓縮空氣或氮?dú)獯蹈伞?/p>

6. 后烘 (硬烘) (Post-bake (hard bake)):

• 熱板：130°C 下烘烤 60 秒。

• 烘箱：130°C 下烘烤 30 分鐘。

7. 光掩模剝離劑/去除劑 (Photomask Stripper/Remover): 使用 Transene 負(fù)性光刻膠去除劑 NRR-001 在 50-60°C 下浸泡 3-5 分鐘。如有必要，用異丙醇沖洗。

光刻膠技術(shù)

基板準(zhǔn)備 (SUBSTRATE PREPARATION):
只有在基板清潔和干燥的情況下涂布光刻膠，才能顯影出無缺陷、輪廓清晰的蝕刻圖案。去除表面顆粒和有機(jī)殘留物可通過使用溶劑（如 Transene 100）清潔，然后在 120°C – 200°C 的溫度下烘烤最多 20 分鐘來完成。

涂布 (APPLICATION):
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)真空吸盤上甩膠的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)可產(chǎn)生最均勻且可重復(fù)的厚度。在此過程中，離心力分布出均勻的光刻膠涂層，而溶劑蒸發(fā)不顯著，且基板邊緣不會(huì)甩出過多光刻膠。

• 開始時(shí)，用光刻膠覆蓋基板。切勿在旋轉(zhuǎn)時(shí)向基板涂布光刻膠，否則可能導(dǎo)致分布不均。

• 方形或矩形基板最好在低轉(zhuǎn)速（50-1000 rpm）下涂布。75 rpm 下使用未稀釋的光刻膠可獲得約 2.5 µm 的涂層，基板邊緣和角部較厚。

• 圓形基板（最常見）在 2,000 – 5,000 rpm 的高速下涂布，所得光刻膠厚度由光刻膠粘度、轉(zhuǎn)速（rpm）和加速度決定。轉(zhuǎn)速 > 5,000 rpm 對光刻膠厚度影響甚微。

• 光刻膠的粘度越低，轉(zhuǎn)速（rpm）對涂層厚度的影響越小。

• 達(dá)到峰值轉(zhuǎn)速的加速時(shí)間通常被認(rèn)為是決定基板上涂層更薄且更均勻的因素。同時(shí)，基板邊緣稍厚的涂層也會(huì)減少。達(dá)到峰值轉(zhuǎn)速的最佳加速時(shí)間為 0.1 秒。（注：原文如此，但實(shí)際工藝中0.1秒加速時(shí)間可能過短且難以精確控制）

• 用于薄膜電路的光刻膠膜厚度范圍為 0.3 至 2 µm。在較低厚度極限下，稀釋光刻膠可能導(dǎo)致薄膜不連續(xù)。

• 厚膜（1-2 µm）在犧牲分辨率的前提下，提供了更強(qiáng)的抗蝕刻穿透和針孔形成的保護(hù)。旋涂兩層薄涂層的更好方法可確保光刻膠膜的質(zhì)量和達(dá)到所需厚度。

前烘 (PREBAKING):
殘余溶劑的蒸發(fā)可實(shí)現(xiàn)光刻膠對基板的最大附著力。未烘烤的光刻膠涂層將具有可變的曝光要求，因?yàn)闅堄嗳軇?huì)抑制功能基團(tuán)的交聯(lián)。過度烘烤也可能產(chǎn)生問題，例如光刻膠材料的霧化和分解。烘烤時(shí)間取決于薄膜厚度。

光刻膠曝光 (EXPOSURE OF PHOTORESISTS):
光刻膠可以用任何在近紫外光譜有輸出的光源曝光。大面積光源僅用于粗線條（50 µm 或 0.002 英寸或更大）。要解析精細(xì)細(xì)節(jié)，需要較少漫射的光源。通常，對于精細(xì)線條圖案，使用點(diǎn)光源（碳弧燈、高壓汞燈或氙氣閃光燈）并使其遠(yuǎn)離基板放置。這將確保基板上的光強(qiáng)度均勻。

• 正確曝光 PKP-308PI 需要約 15-25 mJ/cm2 的光能量。正確的曝光取決于厚度和處理變量。如果光源能夠在基板表面提供 10 mJ/cm2 的輻照強(qiáng)度，則 1-10 秒的曝光時(shí)間是足夠的。

• 為了獲得良好的細(xì)線定義和可重復(fù)性，曝光能量必須控制在最佳值的 10% 以內(nèi)。應(yīng)監(jiān)測基板表面的光強(qiáng)度。

• 由于光刻膠材料的衍射效應(yīng)，過度曝光會(huì)導(dǎo)致掩模下方的光刻膠發(fā)生交聯(lián)，其效果是線條加寬可達(dá) 2.5 µm。

• 曝光不足導(dǎo)致僅在光刻膠膜表面發(fā)生交聯(lián)，可能會(huì)在顯影圖像時(shí)沖掉圖案。線條加寬也可能是由于基板不規(guī)則和/或掩模與光刻膠表面接觸不足造成的。使用真空將掩模壓在光滑的基板上可以解決此問題。

• 如果在氧氣存在下進(jìn)行曝光，PKP-308PI 的敏化劑會(huì)分解而不使聚合物交聯(lián)。該反應(yīng)僅限于薄膜表面，該表面在顯影液中仍保持可溶性。在使用 > 1 µm 的光刻膠涂層時(shí)，不會(huì)注意到這種氧效應(yīng)。0.5 µm 或更薄的涂層可能會(huì)受到很大影響，無法在后續(xù)蝕刻操作中提供足夠的保護(hù)。

光刻膠顯影 (PHOTORESIST DEVELOPMENT):
通常，最佳程序是將顯影液噴涂到涂覆的基板上 10 至 60 秒。然后用幾種非水溶液（如異丙醇）漂洗數(shù)次。使用純凈的壓縮空氣或氮?dú)獯档舯砻鏆埩舻娜軇?。推薦使用 Transene PKP 顯影液。

后烘 (POSTBAKING):
對顯影后的光刻膠進(jìn)行后烘將蒸發(fā)殘留溶劑，增強(qiáng)聚合物涂層的化學(xué)穩(wěn)定性，并進(jìn)一步增強(qiáng)附著力。

光刻膠去除 (PHOTORESIST REMOVAL):
熱的（60°C）Transene 負(fù)性光刻膠去除劑 NRR-001 溶液是去除 PKP-308PI 光刻膠的有效剝離劑。

KemLab負(fù)性光刻膠 PKP-308PI