Transene二氧化硅 (SiO?) 蝕刻液 光刻膠

二氧化硅 (SiO?) 蝕刻劑
用于熱生長或沉積二氧化硅薄膜的高純度緩沖 HF 蝕刻劑。Transene 二氧化硅蝕刻劑是要求最小化鉆蝕和廣泛兼容性的半導(dǎo)體應(yīng)用的理想選擇。緩沖氧化物蝕刻劑標(biāo)準(zhǔn)發(fā)貨不含表面活性劑?？筛鶕?jù)要求添加非 PFAS 表面活性劑。

• 熱生長二氧化硅薄膜的最高蝕刻速率。

• 也適用于沉積的 SiO?。

• 用于磷硅玻璃 (PSG) 和硼硅玻璃 (BSG) 系統(tǒng)的緩沖浸入式蝕刻劑。蝕刻速率根據(jù) PSG 或 BSG 成分而變化。

• 對沉積二氧化硅薄膜蝕刻的優(yōu)良控制。

• 蝕刻硅上的沉積氧化物。

• 用鋁飽和，以盡量減少對金屬基底的侵蝕。

特性：

• 蝕刻速率范圍廣

• 高純度

• 即用型

• 與光刻膠的廣泛兼容性

氟化物 - 雙氟化物 - 氫氟酸緩沖液
改進(jìn)的 HF 緩沖系統(tǒng)，具有穩(wěn)定的 HF 活性——平面鈍化器件（晶體管、集成電路、二極管、整流器、SCR、MOS、FET）半導(dǎo)體技術(shù)中使用的 SiO? 選擇性溶劑。

優(yōu)勢

• 即用型

• 經(jīng)濟(jì)高效

• HF 活性緩沖穩(wěn)定

• 優(yōu)異的工藝重現(xiàn)性

• 不會(huì)鉆蝕掩蔽氧化物

• 不會(huì)污染擴(kuò)散硅表面

• 避免硅表面污染

• 光刻膠兼容性

文獻(xiàn)引用參考
Buffer HF Improved 的應(yīng)用

BUFFER HF IMPROVED 描述
BUFFER HF IMPROVED 是一種理想的緩沖制劑，具有高緩沖指數(shù)和優(yōu)化、均勻的氧化物蝕刻速率。BUFFER HF IMPROVED 的成分通過 HF 活性測量和電測 pH 值進(jìn)行精確控制。其質(zhì)量平衡基本上對應(yīng)于 HF + F? + 2(HF??)（雙配體單核絡(luò)合物），電荷平衡為 (H?) – (F?) + (HF??)。HF 活性通過特定的平衡常數(shù)保持恒定，該常數(shù)調(diào)節(jié)氟化物、雙氟化物和 HF 緩沖組分之間的平衡反應(yīng)。第二個(gè)平衡常數(shù)參與調(diào)節(jié)水合氫離子濃度。

BUFFER HF IMPROVED 的生產(chǎn)和分析確?；静缓s質(zhì)。特別去除了硝酸根離子，這是一種會(huì)導(dǎo)致擴(kuò)散硅表面染色的常見雜質(zhì)?？赡軐?dǎo)致器件特性退化的重金屬雜質(zhì)，在制造工藝規(guī)范下得到嚴(yán)格控制。

Buffer HF Improved 的性質(zhì)

• 如何提高蝕刻速率？

1. 溫度每升高 10°C，速率大約翻倍。

2. 增加攪拌或攪動(dòng)速率。

• 如何降低蝕刻速率？
  添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中，蝕刻速率將降低約 50%。

• 我需要稀釋蝕刻劑嗎？
  不需要，它是即用型的。

• 如何減少鉆蝕？
  增加攪拌或攪動(dòng)速率。

• 外觀：水白色

• pH 值：~4

• 20°C 下的蝕刻速率：800 ?/分鐘 *

• 蝕刻容量（速率在 ~70% 時(shí)開始下降）：65 克/加侖

• 保質(zhì)期：1 年

• 儲存條件：室溫；低于 10°C 會(huì)結(jié)晶；溫?zé)岵嚢枋咕w重新溶解

• 過濾：0.2 微米

• 推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C ）

• 清洗：去離子水；如果需要，可用酒精清洗。

• 光刻膠推薦：KLT6000 系列、KLT 5300 系列、HARE SQ（SU-8 型）、TRANSIST 或 PKP Type II

• 兼容材料選擇：金、銅、鎳

• 不兼容材料選擇：玻璃、鈦、氧化鋁、氮化硅

• 兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC

• 原產(chǎn)國：美國

• 可用性：常備庫存

• 可用規(guī)格：夸脫、加侖、5 加侖、55 加侖

• 包裝：HDPE 包裝，4 加侖/箱

• 各向同性：是

• 不兼容化學(xué)品：強(qiáng)酸

• 附加信息：劇毒——需極其謹(jǐn)慎

• 蝕刻速率可能因二氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)而異

BUFFER HF IMPROVED 的使用
BUFFER HF IMPROVED 溶解硅表面生成的二氧化硅薄膜（包括熱生長 SiO2 和硅烷沉積 SiO2）并通過光刻暴露的部分。它也能夠溶解半導(dǎo)體工藝中形成的摻雜二氧化硅薄膜，如磷硅玻璃和硼硅玻璃?？傮w化學(xué)反應(yīng)為：
4HF + SiO? -> SiF? + 2H?O

為獲得正常操作，BUFFER HF IMPROVED 被推薦用于制造半導(dǎo)體平面和臺面器件的新技術(shù)中。它與負(fù)性和正性光刻膠均兼容。易于獲得具有良好重現(xiàn)性的優(yōu)異結(jié)果，且不會(huì)鉆蝕掩蔽氧化物、造成表面染色或由金屬雜質(zhì)導(dǎo)致器件退化。

使用說明
實(shí)用的氧化物鈍化層厚度范圍為 2000 ? 至 5000 ?，在室溫下將 BUFFER HF IMPROVED 暴露 2 至 5 分鐘可獲得良好效果。如有必要，可以縮短或延長暴露時(shí)間。BUFFER HF IMPROVED 應(yīng)使用去離子水沖洗干凈。BUFFER HF IMPROVED 的高緩沖指數(shù)允許在固定暴露時(shí)間下重復(fù)使用緩沖液。為了獲得更快的蝕刻速率（約 2 倍），請?jiān)?35°C 下使用 BUFFER HF IMPROVED。

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Transene二氧化硅 (SiO?) 蝕刻液 光刻膠

緩沖氧化物蝕刻劑
高純度氟化銨和氫氟酸的標(biāo)準(zhǔn)混合物，比例有標(biāo)準(zhǔn)和定制可選。

BD Etchant (用于 PSG-SiO? 系統(tǒng))
一種改進(jìn)的緩沖蝕刻配方，用于在晶體管表面鈍化中蝕刻磷硅玻璃-SiO? (PSG) 和硼硅玻璃-SiO? (BSG) 系統(tǒng)。BD Etchant 具有較低的 PSG/SiO? 蝕刻比，可大程度地減少 PSG 鈍化膜的鉆蝕。

應(yīng)用： 用作浸入式蝕刻劑，從接觸孔中去除 SiO? 薄膜，而不擾動(dòng) PSG 薄膜。BD Etchant 用于硅晶體管晶圓的接觸孔金屬化之前，隨后進(jìn)行水和酒精清洗。

• 如何提高蝕刻速率？

1. 溫度每升高 10°C，速率大約翻倍。

2. 增加攪拌或攪動(dòng)速率。

• 如何降低蝕刻速率？
  添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中，蝕刻速率將降低約 50%。

• 我需要稀釋蝕刻劑嗎？
  不需要，它是即用型的。

• 如何減少鉆蝕？
  增加攪拌或攪動(dòng)速率。

• 外觀：水白色

• pH 值：弱堿性

• 蝕刻速率：25°C 1.22 ?/秒；30°C 1.72 ?/秒

• 蝕刻容量（速率在 ~70% 時(shí)開始下降）：60 克/加侖

• 保質(zhì)期：1 年

• 儲存條件：常溫

• 過濾：0.2 微米

• 推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C 常用）

• 清洗：去離子水；如果需要，可用酒精清洗。

• 兼容材料選擇：金、銅、鎳

• 不兼容材料選擇：氧化硅、氮化硅、氧化鋁

• 兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC

• 原產(chǎn)國：美國

• 可用性：常備庫存

• 可用規(guī)格：夸脫、加侖、5 加侖、55 加侖

• 包裝：HDPE 包裝，4 加侖/箱

• 各向同性：是

• 不兼容化學(xué)品：—

• 附加信息：—

Timetch (用于二氧化硅薄膜的受控蝕刻劑)
TIMETCH 是一種特殊配制的蝕刻劑溶液，在二氧化硅蝕刻過程中提供優(yōu)異的控制，且無鉆蝕。TIMETCH 與負(fù)性和正性光刻膠兼容。

TIMETCH 用于去除二氧化硅以及控制 MOS 器件的氧化層厚度。該產(chǎn)品也推薦用于二極管和晶體管器件在金屬化之前去除表面氧化物。

對于沉積氧化物，室溫下去除氧化物的速率為 1.5 ?/秒。對于熱氧化物，速率稍慢。蝕刻過程之后用蒸餾去離子水沖洗。Timetch 與銅兼容。

TRANSENE TIMETCH 蝕刻劑的性質(zhì)

• 如何提高蝕刻速率？

1. 溫度每升高 10°C，速率大約翻倍。

2. 增加攪拌或攪動(dòng)速率。

• 如何降低蝕刻速率？
  添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中，蝕刻速率將降低約 50%。

• 我需要稀釋蝕刻劑嗎？
  不需要，它是即用型的。

• 如何減少鉆蝕？
  增加攪拌或攪動(dòng)速率。

• 外觀：水白色

• pH 值：弱堿性

• 25°C 下的蝕刻速率：1.5 ?/秒

• 蝕刻容量（速率在 ~70% 時(shí)開始下降）：60 克/加侖

• 保質(zhì)期：1 年

• 儲存條件：常溫

• 過濾：0.2 微米

• 推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C 常用）

• 清洗：去離子水；如果需要，可用酒精清洗。

• 兼容材料選擇：金、銅、鎳

• 不兼容材料選擇：氧化硅、氮化硅、氧化鋁

• 兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC

• 原產(chǎn)國：美國

• 可用性：常備庫存

• 可用規(guī)格：夸脫、加侖、5 加侖、55 加侖

• 包裝：HDPE 包裝，4 加侖/箱

• 各向同性：是

• 不兼容化學(xué)品：—

• 附加信息：—

Silox Vapox III
該蝕刻劑設(shè)計(jì)用于蝕刻硅表面上的沉積氧化物。這些氧化物通常在 vapox silox 或其他 LPCVD 設(shè)備中生長，在許多重要方面與其熱生長氧化物截然不同。一方面是它們的蝕刻速率，另一方面是它們的工藝用途。沉積氧化物常被用作金屬化硅基底上的鈍化層。Silox Vapox Etchant III 旨在優(yōu)化蝕刻用作鋁金屬化硅基底鈍化層的沉積氧化物。該蝕刻劑已用鋁飽和，以盡量減少其對金屬化基底的侵蝕。

沉積氧化物 (Vapox/Silox) 蝕刻速率：4000 ? / 分鐘 @ 22 °C

該產(chǎn)品包含：

• 氟化銨

• 冰醋酸

• 鋁腐蝕抑制劑

• 表面活性劑

• 去離子水

TRANSENE SILOX VAPOX III 的性質(zhì)

• 如何提高蝕刻速率？

1. 溫度每升高 10°C，速率大約翻倍。

2. 增加攪拌或攪動(dòng)速率。

• 如何降低蝕刻速率？
  添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中，蝕刻速率將降低約 50%。

• 我需要稀釋蝕刻劑嗎？
  不需要，它是即用型的。

• 如何減少鉆蝕？
  增加攪拌或攪動(dòng)速率。

• 外觀：透明，無色

• pH 值：酸性

• 22°C 下的蝕刻速率：4,000 ?/分鐘

• 蝕刻容量（速率在 ~70% 時(shí)開始下降）：65 克/加侖

• 保質(zhì)期：1 年

• 儲存條件：常溫

• 過濾：1 微米

• 推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C 常用）

• 清洗：去離子水

• 光刻膠推薦：KLT6000 系列、KLT 5300 系列、HARE SQ（SU-8 型）、TRANSIST 或 PKP II

• 兼容材料選擇：Au, Cr, Ni, Cu

• 不兼容材料選擇：氧化物、氮化物、氧化鋁、Ti

• 兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC

• 原產(chǎn)國：美國

• 可用性：1-2 天

• 可用規(guī)格：夸脫、加侖、5 加侖、55 加侖

• 包裝：HDPE 包裝，4 加侖/箱

• 各向同性：是

• 不兼容化學(xué)品：強(qiáng)堿

• 附加信息：—

AlPAD Etch 639
I. AlPAD Etch 639 是一種氧化物蝕刻劑，旨在最大限度地減少對鋁焊盤或其他鋁結(jié)構(gòu)以及硅表面的侵蝕。這些氧化物通常在 vapox silox 或其他 LPCVD 設(shè)備中生長。沉積氧化物通常用作金屬化硅基底上的鈍化層。AlPAD Etch 639 的配方包含表面活性劑，以確保在高表面能基底上的潤濕覆蓋。

II. 沉積氧化物 (Vapox/Silox) 蝕刻速率：5000 ? / 分鐘 @ 22°C

III. 該產(chǎn)品包含：

• 氟化銨

• 冰醋酸

• 乙二醇

• 表面活性劑

• 去離子水